Японский производитель электронной техники Toshiba совместно с компанией SanDisk Corp планирует построить завод по производству микросхем флэш-памяти.

Всего в строительство будет вложено 400 млрд иен, или около 4 млрд долларов, передают "Вести экономика" со ссылкой на Reuters.

На новой фабрике планируется выпуск микрочипов шириной 16-17 нм, что позволит производить большее количество микросхем на одной кремниевой пластине.

Таким образом, компания сможет получить преимущество над Samsung Electronics, ведь чипы, выпущенные ранее, имеют ширину 19 нм.

Новый завод будет введен в эксплуатацию в следующем финансовом году, который для Toshiba начнется 1 апреля 2014 года.

Новые мощности помогут повысить эффективность производства на 20%. Таким образом, компания в месяц сможет производить около 450 тыс пластин размером 300 мм.

Toshiba и SanDisk, которые объединились для совместного выпуска флэш-памяти типа NAND, решили разместить дом нового завода на территории производственного комплекса в Йоккаичи (Япония).