Японський виробник електронної техніки Toshiba спільно з компанією SanDisk Corp планує побудувати завод з виробництва мікросхем флеш-пам'яті.

Всього в будівництво буде вкладено 400 млрд єн, або близько 4 млрд доларів, передають "Вести экономика" з посиланням на Reuters.

На новій фабриці планується випуск мікрочіпів шириною 16-17 нм, що дозволить виробляти більшу кількість мікросхем на одній кремнієвій пластині.

Таким чином, компанія зможе отримати перевагу над Samsung Electronics, адже чіпи, випущені раніше, мають ширину 19 нм.

Новий завод буде введений в експлуатацію в наступному фінансовому році, який для Toshiba почнеться 1 квітня 2014 року.

Нові потужності допоможуть підвищити ефективність виробництва на 20%. Таким чином, компанія в місяць зможе виробляти близько 450 тис пластин розміром 300 мм.

Toshiba і SanDisk, які об'єдналися для спільного випуску флеш-пам'яті типу NAND, вирішили розмістити будинок нового заводу на території виробничого комплексу в Йоккаічі (Японія).